EPC2015C
零件编号:
EPC2015C
产品分类:
单 FET、MOSFET
制造商:
EPC
描述:
GANFET N-CH 40V 53A DIE
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
数量:
14886
RoHS 状态:
NO
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PDF:
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$6.49
$6.49
10
$4.35
$43.5
100
$3.13
$313
500
$3.08
$1540
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
零件状态
Not For New Designs
最大功耗
-
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
5V
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
封装 / 外壳
Die
供应商器件封装
Die
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
最大栅源电压
+6V, -4V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 9mA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
53A (Ta)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1180 pF @ 20 V
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