EPC2055 单 FET、MOSFET_恒意法电子_电容器_电感器_电位计_光电器件

零件编号：	EPC2055
产品分类：	单 FET、MOSFET
制造商：	EPC
描述：	GANFET N-CH 40V 29A DIE
封装：
包装：	卷带式 (TR)
数量：	34495
RoHS 状态：	YES
分享

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	EPC
系列	eGaN®
包装	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	Die
安装类型	Surface Mount
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	29A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs	3.6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V @ 7mA
供应商设备包	Die
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	5V
Vgs（最大）	+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)	40 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	8.5 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1111 pF @ 20 V

替代型号

                                          EPC2055                                        

                                          宜普-EPC                                        

                                        40 V, 161 A增强型功率晶体管                                      

相似型号

EPC2059

宜普-EPC

170 V, 102 A增强型功率晶体管

EPC2051

宜普-EPC

100 V, 37 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

EPC2054

宜普-EPC

增强型功率晶体管

EPC2053

宜普-EPC