EPC2212 单 FET、MOSFET_恒意法电子_电容器_电感器_电位计_光电器件

零件编号：	EPC2212
产品分类：	单 FET、MOSFET
制造商：	EPC
描述：	GANFET N-CH 100V 18A DIE
封装：
包装：	卷带式 (TR)
数量：	153697
RoHS 状态：	YES
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产品参数

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类型	描述
制造商	EPC
系列	eGaN®
包装	卷带式 (TR)
产品状态	NOT_FOR_NEW_DESIGNS
包装/箱	Die
安装类型	Surface Mount
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs	13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V @ 3mA
供应商设备包	Die
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	5V
Vgs（最大）	+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)	100 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	4 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	407 pF @ 50 V

替代型号

                                          EPC2212                                        

                                          宜普-EPC                                        

                                        面向车载应用的100 V、75 A增强型氮化镓功率晶体管                                      

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