EPC8009
零件编号：
EPC8009
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
EPC
描述：
GANFET N-CH 65V 4A DIE
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
15642
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$5.06
$5.06
10
$3.35
$33.5
100
$2.37
$237
500
$2.2
$1100
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
最大功耗
-
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
5V
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
4A (Ta)
封装 / 外壳
Die
供应商器件封装
Die
漏极至源极电压 (Vdss)
65 V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
最大栅源电压
+6V, -4V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
130mOhm @ 500mA, 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
52 pF @ 32.5 V
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