FF06100J-7
零件编号：
FF06100J-7
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
fastSiC
描述：
SICFET N-CH 650V 20.6A TO-263-7L
封装：
Tape & Reel (TR)
包装：
数量：
1900
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$9.98
$9.98
10
$3.66
$36.6
100
$3.41
$341
4000
$3.32
$13280
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
最大功耗
83W (Tc)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1000 pF @ 400 V
供应商器件封装
D2PAK-7L
最大栅源电压
18V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
100mOhm @ 10A, 18V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
43 nC @ 15 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.2V @ 14mA
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