连续漏极电流 (Id) @ 25°C
15A (Tc)
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
150mOhm @ 5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2V @ 8mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
29.5 nC @ 12 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
672 pF @ 400 V