封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
660mOhm @ 1A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.2V @ 3mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
10.3 nC @ 12 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
223 pF @ 400 V