G12P03D3
零件编号：
G12P03D3
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
9033
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$0.98
$0.98
10
$0.61
$6.1
100
$0.39
$39
500
$0.3
$150
1000
$0.27
$270
2000
$0.25
$500
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
最大功耗
30W (Tc)
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
20mOhm @ 6A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
供应商器件封装
8-DFN (3.15x3.05)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1337 pF @ 15 V
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