GPI65015DFN 单 FET、MOSFET_恒意法电子_电容器_电感器_电位计_光电器件

零件编号：	GPI65015DFN
产品分类：	单 FET、MOSFET
制造商：	GaNPower
描述：	GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
封装：
包装：	卷带式 (TR)
数量：	180
RoHS 状态：	NO
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产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	GaNPower
系列	-
包装	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	Die
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	15A
Vgs(th)（最大值）@Id	1.2V @ 3.5mA
供应商设备包	Die
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	6V
Vgs（最大）	+7.5V, -12V
漏源电压 (Vdss)	650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	3.3 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	116 pF @ 400 V

替代型号

                                          GPI65015DFN                                        

                                          量芯微-GaNPower                                        

                                        N-channel 650V 15A GaN Power HEMT in 8X8 DFN package                                      

                                          GPI65015DFNL                                        

                                          量芯微-GaNPower                                        

                                        N-channel 650V15A GaN Power HEMT in 8X8 DFN package                                      