GPIHV10DK
零件编号：
GPIHV10DK
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
GaNPower
描述：
GaNFET N-CH 1200V 10A TO252
封装：
Tape & Reel (TR)
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 0
数量
价格
总价
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
10A
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V
最大栅源电压
+7.5V, -12V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.5 nC @ 6 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
1.7V @ 3.5mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
105 pF @ 700 V
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