GT110N06S
零件编号：
GT110N06S
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
5133
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$1.25
$1.25
10
$0.78
$7.8
100
$0.51
$51
500
$0.4
$200
1000
$0.36
$360
2000
$0.33
$660
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1300 pF @ 25 V
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
14A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
24 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
供应商器件封装
8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.4V @ 250µA
最大功耗
3W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
11mOhm @ 14A, 10V
最新产品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
移动端扫码