GT52N10D5
零件编号：
GT52N10D5
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
13359
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$2.52
$2.52
10
$1.61
$16.1
100
$1.1
$110
500
$0.88
$440
1000
$0.85
$850
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
最大功耗
100W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
50 nC @ 10 V
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
71A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2870 pF @ 50 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
7.5mOhm @ 50A, 10V
供应商器件封装
8-DFN (4.9x5.75)
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