HUF75321S3S
零件编号：
HUF75321S3S
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Harris Corporation
描述：
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
封装：
Tube
包装：
数量：
2591
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 575
数量
价格
总价
575
$0.57
$327.75
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
供应商器件封装
TO-263 (D2PAK)
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
35A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
55 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
680 pF @ 25 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
34mOhm @ 35A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
44 nC @ 20 V
最大功耗
93W (Tc)
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