HUF76629D3S
零件编号：
HUF76629D3S
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Harris Corporation
描述：
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
封装：
Tube
包装：
数量：
2058
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 326
数量
价格
总价
326
$1.01
$329.26
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
最大栅源电压
±16V
最大功耗
110W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
46 nC @ 10 V
供应商器件封装
TO-252 (DPAK)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
52mOhm @ 20A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1285 pF @ 25 V
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