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IPD70N10S3L12ATMA2

零件编号 IPD70N10S3L12ATMA2
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 IR (Infineon Technologies)
描述 MOSFET_(75V 120V(
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 0
RoHS 状态 YES
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$2,887.5000

5000

$1.1025

$5,512.5000

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产品参数
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类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C70A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs11.5mOhm @ 70A, 10V
功耗(最大)125W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.4V @ 83µA
供应商设备包PG-TO252-3-11
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs77 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds5550 pF @ 25 V
资质AEC-Q101
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