IRFD9123
零件编号：
IRFD9123
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Harris Corporation
描述：
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
封装：
Tube
包装：
数量：
19441
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 317
数量
价格
总价
317
$1.05
$332.85
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
工作温度
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
场效应晶体管类型
P-Channel
供应商器件封装
4-HVMDIP
封装 / 外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1A (Ta)
最大功耗
-
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
600mOhm @ 600mA, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
18 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
390 pF @ 25 V
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