IV2Q06025T4Z
零件编号：
IV2Q06025T4Z
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Inventchip
描述：
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
封装：
Tube
包装：
数量：
1660
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$13.73
$13.73
10
$9.57
$95.7
100
$7.22
$722
500
$6.77
$3385
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
封装 / 外壳
TO-247-4
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
99A (Tc)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
供应商器件封装
TO-247-4
最大栅源电压
+20V, -5V
最大功耗
454W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
33mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 12mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
125 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3090 pF @ 600 V
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