IV2Q12080T4Z
零件编号：
IV2Q12080T4Z
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Inventchip
描述：
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 80MOHM,
封装：
Tube
包装：
数量：
1660
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$9.01
$9.01
10
$6.13
$61.3
100
$4.51
$451
500
$3.89
$1945
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
41A (Tc)
最大功耗
250W (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
封装 / 外壳
TO-247-4
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
供应商器件封装
TO-247-4
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
104mOhm @ 10A, 18V
最大栅源电压
+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
53 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1214 pF @ 800 V
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