N3T035MP120D
零件编号：
N3T035MP120D
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
NoMIS Power
描述：
1200 V, 35 m SiC MOSFET, TO-247-
封装：
Tube
包装：
数量：
2252
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$18.65
$18.65
25
$16.45
$411.25
100
$15.35
$1535
500
$14.25
$7125
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-247-3
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+20V, -5V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
45mOhm @ 30A, 20V
最大功耗
319W (Tc)
供应商器件封装
TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3V @ 15mA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
76A
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
126 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2204 pF @ 800 V
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