NC1M120C12HTNG
零件编号：
NC1M120C12HTNG
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
NovuSem
描述：
SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A
封装：
Tube
包装：
数量：
1700
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 10
数量
价格
总价
10
$109.87
$1098.7
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
封装 / 外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
20mOhm @ 100A, 20V
最大栅源电压
+20V, -5V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
214A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.5V @ 40mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
8330 pF @ 1000 V
最大功耗
938W (Ta)
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