NC1M120C12WDCU
零件编号：
NC1M120C12WDCU
产品分类：
-
制造商：
描述：
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
封装：
包装：
Tray
数量：
2180
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：218
数量
价格
总价
218+
$45.35
$9886.3
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
封装 / 外壳
Die
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
供应商器件封装
Wafer
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
214A (Tc)
最大栅源电压
+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.5V @ 40mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
8330 pF @ 1000 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
12mOhm @ 20A, 20V
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