P3M06060G7
零件编号：
P3M06060G7
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
PN Junction Semiconductor
描述：
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
封装：
Tape & Reel (TR)
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
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数量
价格
总价
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
供应商器件封装
D2PAK-7
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大功耗
159W
最大栅源电压
+20V, -8V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
44A
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.2V @ 20mA (Typ)
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