封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
5V @ 8mA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
65A (Tc)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
18V, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
105 nC @ 18 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
70mOhm @ 25A, 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1946 pF @ 400 V