TPH3208LDG
零件编号：
TPH3208LDG
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Transphorm
描述：
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
封装：
Tube
包装：
数量：
1609
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$12.91
$12.91
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
最大功耗
96W (Tc)
最大栅源电压
±18V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
760 pF @ 400 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.6V @ 300µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14 nC @ 8 V
供应商器件封装
3-PQFN (8x8)
封装 / 外壳
3-PowerDFN
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