UMWSTD35NF06L
零件编号:
UMWSTD35NF06L
产品分类:
单 FET、MOSFET
制造商:
UMW
描述:
TO-252 MOSFETS ROHS
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
数量:
5978
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$1.51
$1.51
10
$0.92
$9.2
25
$0.77
$19.25
100
$0.6
$60
250
$0.51
$127.5
500
$0.46
$230
1000
$0.42
$420
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1300 pF @ 25 V
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
35A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
60 nC @ 10 V
供应商器件封装
TO-252 (DPAK)
最大功耗
105W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
20mOhm @ 30A, 10V
最新产品
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP