WI71100TR
零件编号：
WI71100TR
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Wise-Integration
描述：
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
4094
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$6.59
$6.59
10
$5.05
$50.5
25
$4.66
$116.5
100
$4.24
$424
250
$4.04
$1010
500
$3.92
$1960
1000
$3.82
$3820
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
最大功耗
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
700 V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
最大栅源电压
+6V, -4V
封装 / 外壳
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
1.5V @ 10mA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
17A (Tj)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V
供应商器件封装
8-PDFN (8x8)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
120mOhm @ 2A, 6V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
4.8 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
120 pF @ 400 V
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