XP10TN135H
零件编号：
XP10TN135H
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
YAGEO XSemi
描述：
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
2600
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$1.68
$1.68
10
$1.26
$12.6
100
$0.85
$85
500
$0.67
$335
1000
$0.61
$610
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
8.1A (Tc)
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3V @ 250µA
供应商器件封装
TO-252
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17.6 nC @ 10 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
135mOhm @ 5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
928 pF @ 50 V
最大功耗
2W (Ta), 20.8W (Tc)
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