XP65AN1K2IT
零件编号：
XP65AN1K2IT
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
YAGEO XSemi
描述：
MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
封装：
Tube
包装：
数量：
2589
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$2.35
$2.35
50
$1.28
$64
100
$1.22
$122
500
$0.98
$490
1000
$0.9
$900
2000
$0.83
$1660
5000
$0.79
$3950
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
7A (Tc)
最大栅源电压
±30V
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.2Ohm @ 3.5A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
44.8 nC @ 10 V
供应商器件封装
TO-220CFM
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2048 pF @ 100 V
最大功耗
1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
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