18923764396
Arabic
中文 English Japanese Russian French Arabic Korean Spanish Kazakh
الصفحة الرئيسية
تصنيف المنتجات
الماركات
استفسار
الأخبار .
عنا
معلومات عنا
اتصل بنا
اتصل بنا
ثقافة الشركة
ثقافة الشركة
الصفحة الرئيسية تصنيف المنتجات الماركات استفسار الأخبار . عنا اتصل بنا ثقافة الشركة 中文 English Japanese Russian French Arabic Korean Spanish Kazakh
الصفحة الرئيسية المنتجات Cambridge GaN Devices
صور
معلومات
وصف
التسعير ( USD )
رقم الدفعة
استفسار
CGD65B130S2-T13
نوع: Cambridge GaN Devices
التعبئة: Cut Tape (CT)
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
FETs الفردية، MOSFETs
$ 7.95
أسرع 4H مخزون6455
CGD65A130S2-T13
نوع: Cambridge GaN Devices
التعبئة: Cut Tape (CT)
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
FETs الفردية، MOSFETs
$ 8.45
أسرع 4H مخزون4906
CGD65B200S2-T13
نوع: Cambridge GaN Devices
التعبئة: Cut Tape (CT)
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
FETs الفردية، MOSFETs
$ 6.15
أسرع 4H مخزون5739
CGD65A055S2-T07
نوع: Cambridge GaN Devices
التعبئة: Cut Tape (CT)
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
FETs الفردية، MOSFETs
$ 18.23
أسرع 4H مخزون2257
CGD65A055SH2
نوع: Cambridge GaN Devices
التعبئة: Cut Tape (CT)
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
FETs الفردية، MOSFETs
$ 13.86
أسرع 4H مخزون4720
CGD65B240SH2
نوع: Cambridge GaN Devices
التعبئة: Cut Tape (CT)
650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
FETs الفردية، MOSFETs
$ 5.93
أسرع 4H مخزون6255
CGD65A130SH2
نوع: Cambridge GaN Devices
التعبئة: Cut Tape (CT)
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
FETs الفردية، MOSFETs
$ 8.31
أسرع 4H مخزون5013
CGD65B130SH2
نوع: Cambridge GaN Devices
التعبئة: Cut Tape (CT)
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
FETs الفردية، MOSFETs
$ 7.81
أسرع 4H مخزون6549
الصفحة الرئيسية تصنيف المنتجات الماركات استفسار الأخبار . عنا اتصل بنا ثقافة الشركة Sitemap
hengyifa شنتشن الالكترونية المحدودة
العنوان:غرفة 315 ، الطابق 3 ، بناء 2 ، Huakang المجمع ، رقم 109 ، Huaqiang شمال شارع ، فوتيان ، وشنتشن
Copyright@2025 All Rights Reserved 粤ICP备10013561号 base.jqkj
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال