CGD65B240SH2
رقم الجزء
CGD65B240SH2
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
Cambridge GaN Devices
وصف
650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
6255
بنفايات الدولة
NO
PDF：
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$5.93
$5.93
10
$3.95
$39.5
100
$2.83
$283
500
$2.73
$1365
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
7A
المورد الجهاز الحزمة
8-DFN (5x6)
الحزمة / العلبة
8-PowerVDFN
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
12V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -1V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
336mOhm @ 500mA, 12V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.2V @ 2.3mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.2 nC @ 12 V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال