2N7002EY
رقم الجزء
2N7002EY
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
وصف
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
73789
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$0.14
$0.14
10
$0.09
$0.9
100
$0.05
$5
500
$0.04
$20
1000
$0.03
$30
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
60 V
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 250µA
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
350mW (Ta)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
المورد الجهاز الحزمة
SOT-23
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
5Ohm @ 300mA, 10V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
340mA (Ta)
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
18 pF @ 30 V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP