3401
رقم الجزء
3401
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
Goford Semiconductor
وصف
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
3949
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$0.41
$0.41
10
$0.25
$2.5
100
$0.16
$16
500
$0.12
$60
1000
$0.1
$100
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
المورد الجهاز الحزمة
SOT-23-3
نوع FET
P-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
30 V
Vgs (الحد الأقصى)
±12V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
670 pF @ 15 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
4.2A (Tc)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1.3V @ 250µA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4A, 10V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Tc)
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP