AC3M0120100K
رقم الجزء
AC3M0120100K
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
APSEMI
وصف
SIC MOSFET N-CH 1000V 24A TO247-
تغليف
Tube
التعبئة
الكمية
1890
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$3.55
$3.55
11
$3.32
$36.52
51
$2.96
$150.96
101
$2.13
$215.13
501
$1.78
$891.78
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1000 V
الحزمة / العلبة
TO-247-4
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
15V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
24A
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-4
Vgs (الحد الأقصى)
+19V, -8V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
155mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
3.7V @ 3mA
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
92W
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP