AS3400
رقم الجزء
AS3400
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
وصف
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
6999
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$0.25
$0.25
10
$0.16
$1.6
100
$0.1
$10
500
$0.07
$35
1000
$0.06
$60
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1.5V @ 250µA
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
30 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
2.5V, 10V
Vgs (الحد الأقصى)
±12V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
5.6A (Ta)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Ta)
المورد الجهاز الحزمة
SOT-23
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.8 nC @ 4.5 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
535 pF @ 15 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.6A, 10V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP