AS3401
رقم الجزء
AS3401
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
وصف
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
14603
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$0.25
$0.25
10
$0.16
$1.6
100
$0.1
$10
500
$0.07
$35
1000
$0.06
$60
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
نوع FET
P-Channel
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
30 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
2.5V, 10V
Vgs (الحد الأقصى)
±12V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
4.4A (Ta)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1.4V @ 250µA
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Ta)
المورد الجهاز الحزمة
SOT-23
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
680 pF @ 15 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4.4A, 10V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP