BSS138
رقم الجزء
BSS138
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
وصف
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
81077
بنفايات الدولة
NO
PDF：
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$0.17
$0.17
10
$0.1
$1
100
$0.06
$6
500
$0.04
$20
1000
$0.04
$40
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
50 V
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
350mW (Ta)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1.6V @ 250µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
27 pF @ 25 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
220mA (Ta)
المورد الجهاز الحزمة
SOT-23
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال