EPC2014C
رقم الجزء
EPC2014C
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
EPC
وصف
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
23076
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$2.42
$2.42
10
$1.55
$15.5
100
$1.05
$105
500
$0.84
$420
1000
$0.81
$810
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
5V
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
10A (Ta)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
40 V
الحزمة / العلبة
Die
المورد الجهاز الحزمة
Die
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.5 nC @ 5 V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (الحد الأقصى)
+6V, -4V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 2mA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 5V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
300 pF @ 20 V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP