EPC2021
رقم الجزء
EPC2021
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
EPC
وصف
GANFET N-CH 80V 90A DIE
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
4667
بنفايات الدولة
NO
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$11.13
$11.13
10
$7.67
$76.7
100
$6.29
$629
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
حالة القطعة
Not For New Designs
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
5V
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 5 V
الحزمة / العلبة
Die
المورد الجهاز الحزمة
Die
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
80 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
90A (Ta)
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (الحد الأقصى)
+6V, -4V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 14mA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1650 pF @ 40 V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال