EPC8009
رقم الجزء
EPC8009
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
EPC
وصف
GANFET N-CH 65V 4A DIE
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
15642
بنفايات الدولة
NO
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$5.06
$5.06
10
$3.35
$33.5
100
$2.37
$237
500
$2.2
$1100
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 250µA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
5V
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
4A (Ta)
الحزمة / العلبة
Die
المورد الجهاز الحزمة
Die
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
65 V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (الحد الأقصى)
+6V, -4V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
130mOhm @ 500mA, 5V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
52 pF @ 32.5 V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال