FL06250A
رقم الجزء
FL06250A
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
fastSiC
وصف
SICFET N-CH 650V 10.7A TO-252
تغليف
Tape & Reel (TR)
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
PDF：
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-252
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
15V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (الحد الأقصى)
15V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
10.7A (Tc)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
46.8W (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
330mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2V @ 6mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18.2 nC @ 12 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
436 pF @ 400 V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال