G12P03D3
رقم الجزء
G12P03D3
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
Goford Semiconductor
وصف
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
9033
بنفايات الدولة
NO
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$0.98
$0.98
10
$0.61
$6.1
100
$0.39
$39
500
$0.3
$150
1000
$0.27
$270
2000
$0.25
$500
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع FET
P-Channel
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
12A (Tc)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2V @ 250µA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
30 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
30W (Tc)
الحزمة / العلبة
8-PowerVDFN
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
المورد الجهاز الحزمة
8-DFN (3.15x3.05)
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1337 pF @ 15 V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال