GPI90007DF88
رقم الجزء
GPI90007DF88
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
GaNPower
وصف
GaNFET N-CH 900V 7A DFN8x8
تغليف
Tape & Reel (TR)
التعبئة
الكمية
2226
بنفايات الدولة
NO
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$4.82
$4.82
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
900 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
7A
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
الحزمة / العلبة
8-DFN
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
6V
Vgs (الحد الأقصى)
+7.5V, -12V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1.2V @ 3.5mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.1 nC @ 6 V
المورد الجهاز الحزمة
8-DFN (8x8)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
225mOhm @ 1.4A, 6V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
60 pF @ 400 V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال