IRF9630
رقم الجزء
IRF9630
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
Vishay Siliconix
وصف
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
تغليف
Tube
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
حالة القطعة
Obsolete
نوع التثبيت
Through Hole
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
المورد الجهاز الحزمة
TO-220AB
الحزمة / العلبة
TO-220-3
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع FET
P-Channel
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
200 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
6.5A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3.9A, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
700 pF @ 25 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
74W (Tc)
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP