تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 250µA
المورد الجهاز الحزمة
TO-220AB
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
200 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
11A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6.6A, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1200 pF @ 25 V