NC1M120C40HTNG
رقم الجزء
NC1M120C40HTNG
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
NovuSem
وصف
SiC MOSFET N 1200V 40mohm 75A 4
تغليف
Tube
التعبئة
الكمية
1700
بنفايات الدولة
NO
PDF：
مخزون
base.lang_mini : 50
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
50
$27.76
$1388
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
75A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
الحزمة / العلبة
TO-247-4
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-4L
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
20V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.8V @ 10mA
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -5V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
40mOhm @ 35A, 20V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2534 pF @ 1000 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
366W (Ta)
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال