P3M06060G7
رقم الجزء
P3M06060G7
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
PN Junction Semiconductor
وصف
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
تغليف
Tape & Reel (TR)
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
PDF：
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
Automotive
التأهيل
AEC-Q101
الحزمة / العلبة
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
المورد الجهاز الحزمة
D2PAK-7
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
15V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
159W
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -8V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
44A
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.2V @ 20mA (Typ)
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال