P3M12160K3
رقم الجزء
P3M12160K3
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
PN Junction Semiconductor
وصف
SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3
تغليف
Tube
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
PDF：
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
Automotive
التأهيل
AEC-Q101
الحزمة / العلبة
TO-247-3
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
15V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
110W
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
19A
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
192mOhm @ 10A, 15V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-3L
Vgs (الحد الأقصى)
+21V, -8V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.4V @ 2.5mA (Typ)
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال