SI4410DY
رقم الجزء
SI4410DY
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
Fairchild Semiconductor
وصف
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
تغليف
Bulk
التعبئة
الكمية
4584
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 429
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
429
$0.77
$330.33
حالة القطعة
Obsolete
نوع التثبيت
Surface Mount
الحزمة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
المورد الجهاز الحزمة
8-SOIC
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1V @ 250µA
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
30 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
10A (Ta)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1350 pF @ 15 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 10A, 10V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP