TPCA8010-H(TE12L,Q
رقم الجزء
TPCA8010-H(TE12L,Q
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
تغليف
Tape & Reel (TR)
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
حالة القطعة
Obsolete
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
200 V
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
5.5A (Ta)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 1mA
الحزمة / العلبة
8-PowerVDFN
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
600 pF @ 10 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta), 45W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة
8-SOP Advance (5x5)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
450mOhm @ 2.7A, 10V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال