TPH3205WSB
رقم الجزء
TPH3205WSB
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
Transphorm
وصف
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
تغليف
Tube
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
حالة القطعة
Obsolete
نوع التثبيت
Through Hole
نوع FET
N-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
-
التأهيل
-
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
الحزمة / العلبة
TO-247-3
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
36A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-3
Vgs (الحد الأقصى)
±18V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 8 V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 8V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.6V @ 700µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2200 pF @ 400 V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال